[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201910047290.8 | 申请日： | 2019-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN111463275B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 王楠;应战 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底以及凸出于衬底的鳍部，鳍部露出的衬底上形成有隔离层，隔离层覆盖鳍部的部分侧壁；形成横跨鳍部的伪栅结构，包括伪栅层，伪栅结构覆盖鳍部的部分顶部和部分侧壁；在伪栅结构露出的衬底上形成层间介质层，层间介质层露出伪栅结构顶部；去除伪栅层，在层间介质层内形成开口；去除开口露出的部分厚度隔离层，在隔离层内形成凹槽；在凹槽和开口内形成栅极结构，栅极结构横跨鳍部且覆盖鳍部的部分顶部和部分侧壁。本发明实施例有利于降低鳍部内发生源漏穿通现象、关态漏电流问题的概率，提升半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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