[发明专利]半导体存储器装置及操作该半导体存储器装置的方法在审

专利信息
申请号: 201910048270.2 申请日: 2019-01-18
公开(公告)号: CN110534148A 公开(公告)日: 2019-12-03
发明(设计)人: 李熙烈 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10;G11C16/08
代理公司: 11002 北京路浩知识产权代理有限公司 代理人: 太香花;李青<国际申请>=<国际公布>=
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开一种半导体存储器装置,该半导体存储器装置包括存储器单元阵列、外围电路和控制逻辑。存储器单元阵列可包括多个存储器单元。外围电路可将共享页面数据编程在多个存储器单元之中的所选择的存储器单元上。控制逻辑可在对所选择的存储器单元的编程操作期间,控制外围电路,以将共享页面数据的第一部分数据编程到所选择的存储器单元之中联接到第一字线的存储器单元,并且将共享页面数据的第二部分数据编程到所选择的存储器单元之中联接到不同于第一字线的第二字线的存储器单元。
搜索关键词: 存储器单元 外围电路 页面数据 字线 半导体存储器装置 存储器单元阵列 控制逻辑 数据编程 共享 联接 编程操作期间 编程
【主权项】:
1.一种半导体存储器装置,包括:/n存储器单元阵列,包括多个存储器单元;/n外围电路,将共享页面数据编程在所述多个存储器单元之中的所选择的存储器单元上;以及/n控制逻辑,在对所选择的存储器单元的编程操作期间,控制所述外围电路,以将所述共享页面数据的第一部分数据编程到所选择的存储器单元之中联接到第一字线的存储器单元,并且将所述共享页面数据的第二部分数据编程到所选择的存储器单元之中联接到不同于所述第一字线的第二字线的存储器单元。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司,未经爱思开海力士有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910048270.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top