[发明专利]配置为表现绝缘体上半导体行为的块状半导体衬底及其制备方法

摘要

本文公开了配置为表现出绝缘体上半导体(SOI)行为的块状半导体衬底，以及相应的制造方法。被配置为表现出SOI行为的示例性块状衬底包括限定块状衬底的沟道区域的第一隔离沟槽和限定包括沟道区域的有源区域的第二隔离沟槽。第一隔离沟槽包括第一隔离沟槽部分和设置在第一隔离沟槽部分上方的第二隔离沟槽部分。第一隔离材料填充第一隔离沟槽部分，并且外延材料填充第二隔离沟槽部分。外延材料设置在第一隔离材料上。第二隔离材料填充第二隔离沟槽。在第一隔离沟槽和沟道区域下面的块状衬底的一部分被配置为具有比块状衬底更高的电阻。本发明实施例涉及配置为表现绝缘体上半导体行为的块状半导体衬底。

主权项

1.一种集成电路器件，包括表现出绝缘体上半导体行为的块状衬底，所述集成电路器件包括：/n沟道区域，限定在所述块状衬底中，其中，所述沟道区域具有设置在第二部分上方的第一部分，并且进一步地，其中：/n所述第一部分设置在外延源极/漏极部件之间，所述外延源极/漏极部件设置在所述块状衬底中，/n第二部分由设置在所述块状衬底中的第一隔离部件限定，其中，所述外延源极/漏极部件设置在所述第一隔离部件上，并且/n所述沟道区域的厚度等于所述第一隔离部件的厚度与所述外延源极/漏极部件的厚度之和；/n第二隔离部件，设置在所述块状衬底中，其中，所述第二隔离部件限定有源区域，所述有源区域包括设置在所述外延源极/漏极部件之间的沟道区域的第一部分；以及/n其中，位于所述第一隔离部件和所述沟道区域下面的所述块状衬底的部分的电阻大于所述块状衬底的电阻。/n