[发明专利]京红早樱的组织培养快速繁殖方法

摘要

本发明公开了一种京红早樱的组织培养快速繁殖方法，涉及植物组织培养技术领域。京红早樱的组织培养快速繁殖方法包括提供外植体、外植体消毒、启动培养、增殖培养、壮苗培养、生根培养和炼苗移栽，通过对这些步骤进行针对性的改进，实现了京红早樱的有效组培快繁，采用本发明方法对京红早樱外植体消毒和启动培养后能显著降低培养后芽苗的污染率和褐化率，增殖培养后诱导分化率高，增殖迅速，形成的新芽伸长性好，增殖系数高，生根培养后根系粗壮、韧性好、根数多，生根率高，炼苗移栽后成活率显著提升。本发明方法简便易行，为京红早樱的遗传转化与分子育种提供了技术支撑。

主权项

1.一种京红早樱的组织培养快速繁殖方法，其特征在于，包括以下步骤：(a)提供外植体：以当年抽条的至少含有一个腋芽的茎段为外植体；(b)外植体消毒：先用65‑75vt％的酒精浸泡10‑15s，然后用0.5‑0.8wt％H2O2溶液浸泡摇动10‑15min，再用0.1‑0.2wt％HgCl2溶液浸泡摇动4‑5min，用无菌水冲洗3‑5次，去除表面水分；(c)启动培养：将步骤(b)消毒后的茎段转移至启动培养基中，培养15‑20天开始形成丛生芽，培养25‑30天获得不定芽苗；启动培养基包括：3/4MS+6‑BA 1‑2mg/L+NAA 0.05‑0.15mg/L+PVP 0.5‑1.5g/L+凝胶剂0.4‑0.6wt％+碳源3‑4wt％，pH 5.6‑6.0；培养环境包括：培养温度25‑28℃，光照强度1000‑1500lux，每天的光照时间12‑14h；(d)增殖培养：将步骤(c)新抽出的腋芽2‑3cm接种到增殖培养基中，培养30‑35天后形成丛生苗；增殖培养基包括：3/4MS+6‑BA 1.5‑2mg/L+IBA 0.05‑0.15mg/L+GA3 0.1‑0.3mg/L+GO凝胶液4‑6ml/L；培养环境包括：培养温度25‑28℃，光照强度1500‑2000lux，每天的光照时间12‑14h；(e)壮苗培养：将步骤(d)获得的丛生苗接种到壮苗培养基中，培养25‑30天后获得壮苗；壮苗培养基为3/4MS+6‑BA 0.4‑0.6mg/L+NAA 0.005‑0.015mg/L+GA3 0.04‑0.06mg/L+GO凝胶液4‑6ml/L+凝胶剂0.5‑0.7wt％+碳源1‑3wt％，pH 5.6‑6.0；培养环境包括：培养温度25‑28℃，光照强度2000‑2500lux，每天的光照时间12‑14h；(f)生根培养：将步骤(e)获得的壮苗2‑3cm接种到生根培养基中，培养30‑35天；生根培养基包括：1/2MS+NAA 0.2‑0.4mg/L+IBA 0.1‑0.3mg/L+AC 0.5‑1.5g/L+GO凝胶液9‑11ml/L+凝胶剂0.5‑0.7wt％+碳源1‑3wt％，pH 5.6‑6.0；培养环境包括：培养温度25‑28℃，光照强度2000‑2500lux，每天的光照时间15‑17h；(g)炼苗移栽：生根培养30‑35天后，先将组培器皿封口盖松动但不打开，在温度为25‑28℃，光照强度为2000‑2500lux的环境条件下炼苗2‑3天，再将组培器皿封口盖打开露出缝隙后炼苗2‑3天，然后将组培器皿封口盖完全打开后炼苗2‑3天后移栽；选择根长2cm以上、生根数3条以上以及生长健壮的组培苗进行移栽，将根部清洗和消毒后的组培苗移栽到灭过菌的基质中，覆膜培养，早晚喷水，一周后，部分揭膜，继续培养一周后，全部揭膜，保持土壤湿润，培养30‑35天后移栽到大田；基质包括腐殖土、珍珠岩和蛭石，腐殖土、珍珠岩和蛭石的质量比为5‑7:2‑4:1。