[发明专利]用于形成集成电路的方法和集成电路

摘要

本申请的各个实施方式涉及形成集成电路的方法，以及相关的集成电路。在一些实施方式中，在多个逻辑子区域上形成栅极介电前趋物层的堆叠，且之后将栅极介电前趋物层的堆叠从至少二个逻辑子区域选择性地移除。然后，形成栅极介电前趋物层，且随后执行电浆处理制程和退火制程。然后将栅极介电前趋物层从低电压逻辑子区域选择性地移除，而不是从高电压逻辑子区域移除。经由在执行电浆处理制程和退火制程之前，将栅极介电前趋物层的堆叠从低电压逻辑子区域移除，较少的栅极介电前趋物材料被处理、退火、和从低电压逻辑子区域移除。因此，减少了所产生的残留物，并且也减少或消除由残留物引入的缺陷。

主权项

1.一种用于形成一集成电路的方法，其特征在于，该方法包含：/n提供一基板，其包括一逻辑区域，其中该逻辑区域具有多个逻辑子区域；/n在该多个逻辑子区域上形成一栅极介电前趋物层的堆叠；/n将该栅极介电前趋物层的堆叠从该逻辑区域的至少两个逻辑子区域移除；/n在该逻辑区域的该至少两个逻辑区域上形成一栅极介电前趋物层；/n对于该栅极介电前趋物层的堆叠和该栅极介电前趋物层执行一电浆处理制程和一退火制程；以及/n将该栅极介电前趋物层从该逻辑区域的该至少两个逻辑子区域的一低电压逻辑子区域移除，而不将该栅极介电前趋物层从该逻辑区域的该至少两个逻辑子区域的一高电压逻辑子区域移除，其中该低电压逻辑子区域具有一逻辑装置，其配置为在一电压下运作，该电压小于该高电压逻辑子区域的另一个逻辑装置的一运作电压。/n