[发明专利]LDMOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201910056315.0 | 申请日： | 2019-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN109830538B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/265;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LDMOS器件，包括：由形成于半导体衬底上的第一导电类型掺杂层的选定区域组成的漂移区，包括依次形成于第一导电类型掺杂层表面的栅介质层和栅导电材料层组成的栅极结构；第二导电类型掺杂的自对准沟道区由以栅极结构的第一侧面为自对准条件的带角度离子注入形成的掺杂区组成。本发明还公开了一种LDMOS器件的制造方法。本发明沟道的长度不受光刻工艺影响，能最大限度降低沟道长度，形成超低导通电阻；还能提高沟道长度的分布的均匀性并从而能提高器件性能的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：漂移区，由第一导电类型掺杂层的选定区域组成，所述第一导电类型掺杂层形成于半导体衬底上；栅极结构，包括依次形成于所述第一导电类型掺杂层表面的栅介质层和栅导电材料层，所述栅极结构具有由光刻工艺定义的第一侧面和第二侧面；第二导电类型掺杂的自对准沟道区，形成于所述栅极结构的第一侧面内侧的底部的所述第一导电类型掺杂层的表面，所述自对准沟道区由以所述栅极结构的第一侧面为自对准条件的带角度离子注入形成的掺杂区组成，被所述栅极结构覆盖的所述自对准沟道区的表面用于形成沟道，所述沟道的长度由所述带角度离子注入自对准定义从而不受光刻工艺影响。
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