[发明专利]一种闪存编程电流产生电路及其方法有效
申请号: | 201910056884.5 | 申请日: | 2019-01-22 |
公开(公告)号: | CN109801661B | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 黄明永;肖军 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G11C16/24 | 分类号: | G11C16/24;G11C7/12 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种闪存编程电流产生电路及其方法,所述电路包括:编程信号产生电路,用于在编程许可信号PROGEN的控制下将编程数据输入DIN转化为编程输出信号Do;恒流源模块,用于在所述编程输出信号Do的控制下通过关闭上拉的PMOS管以减小功耗并获得稳定的编程电流Idp;闪存单元,为选中存储单元,用于存储信息,通过本发明,在减少功耗的基础上获得准确的闪存编程电流。 | ||
搜索关键词: | 一种 闪存 编程 电流 产生 电路 及其 方法 | ||
【主权项】:
1.一种闪存编程电流产生电路,包括:编程信号产生电路,用于在编程许可信号PROGEN的控制下将编程数据输入DIN转化为编程输出信号Do;恒流源模块,用于在所述编程输出信号Do的控制下通过关闭上拉的PMOS管以减小功耗并获得稳定的编程电流Idp;闪存单元,为选中存储单元,用于存储信息。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司,未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910056884.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。