[发明专利]浅沟槽隔离结构的制作方法在审
| 申请号： | 201910056891.5 | 申请日： | 2019-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN109659271A | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 陈宏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种浅沟槽隔离结构的制作方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上依次形成氧化物层、多晶硅层、掩模层和底部防反射涂层；依次刻蚀所述底部防反射涂层、所述掩模层、所述多晶硅层、所述氧化物层和所述衬底；在所述衬底上形成浅沟槽；清洗所述浅沟槽；向所述浅沟槽填充隔离物质形成浅沟槽隔离结构。在本发明提供的浅沟槽隔离结构的制作方法中，在刻蚀完浅槽隔离之后清洗浅沟槽去除聚合物，防止聚合物挥发污染其它没有进行刻蚀的晶圆，并且还能防止在后续的步骤中产生影响晶圆刻蚀的颗粒，最终，提升晶圆刻蚀的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 浅沟槽隔离结构 刻蚀 浅沟槽 衬底 晶圆 底部防反射涂层 多晶硅层 氧化物层 聚合物 掩模层 清洗 制作 隔离物质 挥发污染 浅槽隔离 去除 填充 | ||
【主权项】：
1.一种浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上依次形成多晶硅层、掩模层和底部防反射涂层；依次刻蚀所述底部防反射涂层、所述掩模层、所述多晶硅层和所述衬底；在所述衬底上形成浅沟槽；清洗所述浅沟槽；向所述浅沟槽填充隔离物质形成浅沟槽隔离结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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