[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910057593.8 | 申请日： | 2019-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN110071106A | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 渕上千加志 | 申请（专利权）人： | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨文娟;臧建明 |
| 地址： | 日本神奈川县横滨市港北区新*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可减少形成在半导体装置上的电路元件的面积的半导体装置。半导体装置包括：第1导电型区域，形成在基板上且形成有由绝缘膜包围的电阻元件；第2导电型区域，与电阻元件的上表面接触并层叠形成；电容器，经由层间绝缘层而形成在电阻元件上；过孔，将电阻元件的一端子及电容器的一端子电性串联连接；以及电源线及接地线，与电阻元件的另一端子及电容器的另一端子分别电性连接。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻元件 半导体装置 电容器 第1导电型区域 层间绝缘层 导电型区域 电路元件 电性连接 端子电性 电源线 接地线 绝缘膜 上表面 基板 包围 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于包括：基板；第1导电型区域，形成在所述基板上且形成有由绝缘膜包围的电阻元件；第2导电型区域，与所述电阻元件的上表面接触并层叠形成；电容器，经由层间绝缘层而形成在所述电阻元件上；过孔，将所述电阻元件的一端子及所述电容器的一端子电性串联连接；以及电源线及接地线，与所述电阻元件的另一端子及所述电容器的另一端子分别电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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