[发明专利]形成对准标记的方法有效
| 申请号： | 201910058762.X | 申请日： | 2019-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN109761190B | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 王俊杰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81C99/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种形成对准标记的方法，包括：在衬底上形成多个第一金属连接柱和至少一个第二金属连接柱；形成第一对准区的图案化的氧化物层和第二对准区的图案化的氧化物层和第一氧化物连接柱；形成位于所述第一氧化物连接柱上的第三金属连接柱和位于第二对准区的氧化物层上的第四金属连接柱，第三金属连接柱的上表面到第一对准区的图案化的氧化物层的表面的距离与相邻的第三金属连接柱之间的间距的比例大于1:1；在图案化的氧化物层、第三金属连接柱和第四连接柱上形成第二氧化物层，第二氧化物层表面形成凹槽作为对准标记。相对于现有技术，本申请直接在形成MEMS和CMOS互连层的同时形成对准标记，可以节省材料和时间。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 对准 标记 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成对准标记的方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成第一金属层，刻蚀所述第一金属层形成图案化的第一金属层，所述图案化的第一金属层包括第一对准区和第二对准区，所述第一对准区包括多个第一金属连接柱，所述第二对准区包括至少一个第二金属连接柱；在所述图案化的第一金属层上形成第一氧化物层，刻蚀所述第一氧化物层形成图案化的氧化物层，所述图案化的氧化层包括去除第一对准区内所述第一金属连接柱间隔的第一氧化物层，在所述第一金属连接柱上的第一氧化物连接柱，以及覆盖第二对准区第一氧化物层，刻蚀覆盖第二对准区的第一氧化物层暴露出第二金属连接柱，形成多个第一通孔；在所述图案化的氧化物层上形成第二金属层，刻蚀所述第二金属层形成图案化的第二金属层，所述图案化的第二金属层包括去除第一氧化物连接柱间隔的第二金属层，在第一氧化物连接柱上形成的第三金属连接柱，以及去除覆盖第二对准区第一氧化物层之上的部分第二金属层，保留与第二对准区的第二金属连接柱对应位置的第四金属连接柱，所述第三金属连接柱的上表面到第一对准区的图案化的氧化物层的表面的距离与相邻的所述第三左金属连接柱之间的间距的比例大于1:1；在所述图案化的第二金属层、第三金属连接柱和第四金属连接柱上形成第二氧化物层，在与第三金属连接柱间隔区对应位置的第二氧化物层上形成凹槽作为器件对准标记；刻蚀所述第二氧化层以暴露出所述第四金属连接柱，形成第二通孔，以作为器件互连的通孔。
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