[发明专利]改善分栅式闪存性能的方法

摘要

本发明涉及一种改善分栅式闪存性能的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成并列排布的多个分栅式闪存单元，所述多个分栅式闪存单元之间形成有间隙，每个所述分栅式闪存单元包括在所述半导体衬底中设置的源极区和分别位于所述源极区两侧的两个漏极区，所述半导体衬底上对应于同一所述分栅式闪存单元的所述源极区和所述漏极区之间形成有字线；第一介质层填充间隙并覆盖字线，通过调节第一介质层的形成温度以减小所述字线所受的压应力。本发明通过通过调节第一介质层的形成温度以减小所述字线所受的压应力，有利于改善分栅式闪存的擦除操作以及编程操作的工艺窗口，从而提高分栅式闪存单元内沟道中电子的迁移率，提高分栅式闪存的性能。

主权项

1.一种改善分栅式闪存性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有并列排布的多个分栅式闪存单元，所述多个分栅式闪存单元之间形成有间隙，每个所述分栅式闪存单元包括在所述半导体衬底中设置的源极区和分别位于所述源极区两侧的两个漏极区，所述半导体衬底上对应于同一所述分栅式闪存单元的所述源极区和所述漏极区之间形成有字线；形成第一介质层，所述第一介质层填充所述间隙并覆盖所述字线，并且，通过调节所述第一介质层的形成温度以减小所述第一介质层对所述字线形成的压应力。