[发明专利]用于静态随机存取存储器（SRAM）的写入方案有效
| 申请号： | 201910061789.4 | 申请日： | 2019-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN110189781B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 胡晓莉;赵薇;浦浩 | 申请（专利权）人： | 马维尔亚洲私人有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419;G11C11/418 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于静态随机存取存储器(SRAM)的写入方案。本公开涉及一种包括写入驱动器电路的结构，该写入驱动器电路被配置为驱动真位线侧和补位线侧两者向上至电源以及向下至接地，使得真位线侧和补位线侧中的一者被驱动至接地，并且在真位线侧和补位线侧中的一者被驱动至接地的同时且在真位线和补位线中的一者的低于电源的电平的预充电之前，使得真位线侧和补位线侧中的另一者被驱动到高电平。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 静态 随机存取存储器 sram 写入 方案 | ||
【主权项】：
1.一种包括写入驱动器电路的结构，所述写入驱动器电路被配置为驱动真位线侧和补位线侧两者向上至电源以及向下至接地，使得所述真位线侧和所述补位线侧中的一者被驱动至接地，并且在所述真位线侧和所述补位线侧中的一者被驱动至接地的同时且在所述真位线和所述补位线中的所述一者的低于所述电源的电平的预充电之前，使得所述真位线侧和所述补位线侧中的另一者被驱动到高电平。
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