[发明专利]非易失性存储器件在审
| 申请号： | 201910066103.0 | 申请日： | 2019-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN110277127A | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 方真培;宋承桓;边大锡;朴一汉;尹铉竣;李汉埈;崔那荣 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 杨姗 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种非易失性存储器件可以包括：包括多个锁存器集的页缓冲器，多个锁存器集根据读取信号集中的每一个读取信号集对多个存储单元中所选择的存储单元的每个页数据进行锁存，其中每一个读取信号集包括至少一个读取信号；以及控制逻辑器件，被配置为检测存储单元的劣化水平并且基于检测到的劣化水平确定应用于读取信号集中的至少一个读取信号集的读取参数。 | ||
| 搜索关键词： | 读取信号 存储单元 非易失性存储器件 锁存器 劣化 控制逻辑器件 读取参数 水平确定 页缓冲器 页数据 检测 锁存 配置 应用 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器件，包括：包括多个锁存器集的页缓冲器，所述多个锁存器集被配置为根据相应读取信号集对存储单元的相应页数据进行锁存，所述读取信号集中的每一个读取信号集包括至少一个读取信号；以及控制逻辑器件，被配置为检测所述存储单元的劣化水平，并且基于所述劣化水平确定应用于所述读取信号集中的至少一个读取信号集的读取参数。
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