[发明专利]一种硅锭的制备方法和铸锭用坩埚在审
| 申请号： | 201910066782.1 | 申请日： | 2019-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN109778311A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 雷琦;何亮;徐云飞;毛伟;李建敏 | 申请（专利权）人： | 赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 338004 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种铸锭用坩埚，包括坩埚本体、设置在所述坩埚本体底部和侧壁内表面的氮化硅层、以及设置在所述坩埚本体底部和所述氮化硅层之间的第一硅片层，所述第一硅片层的硅纯度大于99.9999％。该铸锭用坩埚能够阻隔坩埚内向硅锭中扩散的各种杂质，大大降低硅锭中金属杂质及氧含量，减少硅锭的边部红区和尾部红区。本发明还提供了使用上述铸锭用坩埚的硅锭的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 硅锭 坩埚 铸锭 坩埚本体 氮化硅层 硅片层 制备 侧壁内表面 金属杂质 硅纯度 边部 阻隔 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种铸锭用坩埚，其特征在于，包括坩埚本体、设置在所述坩埚本体底部和侧壁内表面的氮化硅层、以及设置在所述坩埚本体底部和所述氮化硅层之间的第一硅片层，所述第一硅片层的硅纯度大于99.9999％。
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