[发明专利]在半导体装置中改善重迭效能的结构及方法有效
| 申请号： | 201910068311.4 | 申请日： | 2019-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN110197821B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 仲·D·堤伦;李华翔;戴鑫托;裴尚吉;陈睿;姆德·莫塔西·贝拉;杨东岳;唐明浩;C·J·阿亚拉;瑞义·普洛卡西·斯瑞泛斯特法;K·N·察哈恩;帕凡·库玛尔·查特哈马佩塔·史瑞帕达拉 | 申请（专利权）人： | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G03F9/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 江葳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及在半导体装置中改善重迭效能的结构及方法。在一种例示性方法中，衬底上形成第一层。该第一层的第一区带中形成第一套迭标记。该第一层的顶部上形成非透明层。将该非透明层的至少一部分从该第一层的该第一区带上面的区域移除。这提供对所述第一套迭标记的光学存取。该非透明层的顶部上形成第二层。该第二层的第二区带中形成第二套迭标记。从所述第一套迭标记及所述第二套迭标记的各者获得位置信息。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 改善 重迭 效能 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，其包含：在衬底上形成第一层多层装置；在该第一层的第一区带中形成第一套迭标记；在该第一层的顶部上形成非透明层；通过将至少一部分的材料从该非透明层的预选定区域移除，以在该非透明层中形成窗口，其中，该预选定区域在该第一层的该第一区带上垂直对准，并且该窗口提供对所述第一套迭标记的光学存取；在该非透明层及该窗口的顶部上形成第二层；在该第二层的第二区带中形成第二套迭标记；以及从所述第一套迭标记及所述第二套迭标记的各者获得位置信息。
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