[发明专利]一种达林顿晶体管参数的测试方法

摘要

本发明属于达林顿晶体管技术领域，涉及一种达林顿晶体管参数的测试方法，包括如下步骤：在测试BVCEO参数过程中，通过示波器观测是否有自激震荡；在达林顿晶体管的基极B、集电极C间并入300P/2KV阻尼电容；在偏置电流IC的回路中串联10KΩ电阻来消除自激震荡；在测试饱和压降VCES参数时，通过降低集电极电流IB的输入值，得出最终测试饱和压降VCES的值，有效避免了因Ib电流过大，导致的产品烧坏；本发明的测试方法可以有效的消除达林顿管BVCEO误测的问题，同时通过减小IB电流值来避免产品被烧坏，提高了达林顿管的质量及可靠性。

主权项

1.一种达林顿晶体管参数的测试方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一. 选取被测试达林顿晶体管，并将其放置到测试压爪（2）中，利用连接线（1）将测试压爪（2）和测试系统（5）的测试站（3）接上；步骤二. 测试BVCEO参数：在示波器上观测BVCEO的波形，改变连接线（1）的长度，观测是否消除自激震荡；步骤三. 若消除自激震荡，则BVCEO测试值为实际值；若没有消除自激震荡，则进行步骤四；步骤四. 在测试站（3）的测试主机（4）上，选通K210，并闭合，即在测试站（3）的BV、CV端口间并入300P/2KV阻尼电容，通过示波器观测BVCEO的波形，判断是否消除自激震荡；步骤五. 若消除自激震荡，则BVCEO测试值为实际值；若没有消除自激震荡，则进行步骤六；步骤六. 在测试站（3）的测试主机（4）上，再选通K202，并闭合，即在测试站（3）内部的偏置电流IC回路中串联10KΩ电阻，通过示波器观测BVCEO的波形，可完全消除自激震荡，输出BVCEO测试值；步骤七. 测试饱和压降VCES参数：先选几十只达林顿晶体管测试其放大倍数HFE值的范围；步骤八. 再根据公式HFE=IC/IB，求基极电流IB的值；其中，达林顿晶体管标准值参数饱和压降VCES<2.0V，集电极电流IC=5A；步骤九. 将饱和压降测试参数VCES<2.0V及求得的集电极电流IB值输入测试程序中，测出饱和压降VCES的实际测试值。