[发明专利]覆膜形成用组合物以及使用其的覆膜形成方法在审

专利信息
申请号: 201910073632.3 申请日: 2014-09-16
公开(公告)号: CN109971344A 公开(公告)日: 2019-07-05
发明(设计)人: 尾崎祐树;佐竹升;河户俊二;小林政一 申请(专利权)人: AZ电子材料(卢森堡)有限公司
主分类号: C09D183/14 分类号: C09D183/14;C09D183/16;C09D7/63;B05D3/04;B05D3/06;B05D7/04;C08J7/04;C08L67/02
代理公司: 北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216 代理人: 刘卓然
地址: 卢森堡国*** 国省代码: 卢森堡;LU
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摘要: 【课题】本发明提供一种可形成气体阻隔性能优异的覆膜的覆膜形成用组合物和覆膜形成方法。【解决方案】一种覆膜形成用组合物,其特征在于包含不含羟基或者羧基的聚硅氧烷、聚硅氮烷和有机溶剂;以及一种覆膜形成方法,其包含将该组合物涂布于基板的工序以及进行曝光的工序。
搜索关键词: 覆膜 形成用组合物 气体阻隔性能 组合物涂布 聚硅氮烷 聚硅氧烷 有机溶剂 基板 羟基 羧基 曝光
【主权项】:
1.一种覆膜形成用组合物,其特征在于包含由下述通式(1)表示的聚硅氧烷、聚硅氮烷和有机溶剂,式中,R11分别独立地是碳原子数1~3的烷基,R12各自独立地为碳原子数1~8的烃基或者‑R13‑N‑R142,此处,R13为碳原子数1~5的烃基,R14分别独立地为氢或者碳原子数1~3的烃基,其中,相对于所述聚硅氮烷100重量份,包含所述聚硅氧烷0.01~25重量份,所述聚硅氮烷包含下述通式(4)的结构,式中,R21各自独立地为从由氢原子、烷基、烯基、环烷基、芳基、烷氧基、氨基以及甲硅烷基组成的组中选出的基团,式中的R21中的至少一个为氢原子,除了氢原子以外的基团也可被一个或者一个以上的从由卤素原子、烷基、烷氧基、氨基、甲硅烷基以及烷基甲硅烷基组成的组中选出的基团取代。
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