[发明专利]一种后栅极形成方法

摘要

本发明提供一种后栅极形成方法，在衬底上形成栅极及覆盖栅极的层间介质层，在层间介质层表面悬涂抗反射层，并刻蚀抗反射层至露出栅极顶部的层间介质层为止，对层间介质层刻蚀至栅极顶部的层间介质层厚度与源漏极上的介质层厚度相当，之后去除抗反射层；再对层间介质层进行研磨至栅极顶部露出为止；刻蚀栅极形成栅极凹槽，之后在凹槽沉积栅极介质层以及填充金属栅极材料，并研磨形成表面平整的金属栅极。本发明通过只对栅极顶部上的介质层进行刻蚀，降低栅极顶部上介质层与源漏极上介质层的高度差，经过化学机械研磨后，提高了硅片内的平坦度，减少了铝在介质层上残留的风险，同时也降低了研磨时间和减少了研磨耗材使用。

主权项

1.一种后栅极形成方法，其特征在于，提供一衬底，所述衬底上设有源漏极，所述源漏极上设有介质层，该方法至少包括以下步骤：步骤一、在所述衬底上形成栅极以及覆盖所述栅极的层间介质层；步骤二、在所述层间介质层的表面悬涂抗反射层，并刻蚀该抗反射层至露出所述栅极顶部的层间介质层为止；步骤三、对所述层间介质层进行刻蚀，刻蚀至所述栅极顶部的层间介质层厚度与所述源漏极上的介质层厚度相当，之后去除所述抗反射层；步骤四、对所述层间介质层进行研磨，研磨至所述栅极顶部露出为止；步骤五、对所述栅极进行刻蚀，形成栅极凹槽；步骤六、对所述栅极凹槽沉积一层栅极介质层，之后再对凹槽填充金属材料，所述金属材料覆盖所述层间介质层和所述凹槽上表面；步骤七、去除所述层间介质层和所述凹槽上表面的金属材料后形成金属材料和所述层间介质层齐平的上表面。