[发明专利]一种可降低干扰的二级电源产生电路

摘要

本发明提供一种可降低干扰的二级电源产生电路，电容器C0的上极板连接VPOS电源电压的输出节点以及第四PMOS管的源极，该电容器C0的下极板连接电阻R0一端以及第四NMOS管的栅极；该电阻R0的另一端连接第四NMOS管的漏极、第四PMOS管的漏极及其栅极；第四NMOS管的源极极接地；二级电源VDDI产生电路的输出端与电容器C0的上极板以及第四PMOS管的源极的连接。在进行第二阶段放电时，VDDI被抬高，N4管栅端电压NG被VDDI通过C0耦合，更好的将N4管导通，在VDDI与GND之间形成通路，可将VDDI电位快速拉低，减弱击穿问题。

主权项

1.一种可降低干扰的二级电源产生电路，其特征在于，所述电路至少包括：含有VPOS电源电压的高压放电电路、二级电源VDDI产生电路、电容器C0、电阻R0、第四NMOS管、第四PMOS管；所述电容器C0的上极板连接所述VPOS电源电压的输出节点以及所述第四PMOS管的源极，该电容器C0的下极板连接电阻R0一端以及第四NMOS管的栅极；该电阻R0的另一端连接所述第四NMOS管的漏极、所述第四PMOS管的漏极及其栅极；所述第四NMOS管的源极极接地；所述二级电源VDDI产生电路的输出端与所述电容器C0的上极板以及所述第四PMOS管的源极的连接。