[发明专利]融合型存储器有效
| 申请号： | 201910083230.1 | 申请日： | 2019-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN109860190B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 吕杭炳;罗庆;许晓欣;龚天成;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;H01L27/108;H01L27/1159;H01L27/11597 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供一种融合型存储器，包括多个存储器单元，其中，所述存储器单元包括：块体衬底；块体衬底上方的源极和漏极以及在源极和漏极区域之间延伸的沟道区；铁电层，位于沟道区之上；栅极，位于铁电层之上。本公开的融合型存储器使存储单元能够在电荷俘模式以及极化翻转模态下工作，因此，该存储器兼具DRAM和NAND的功能，融合了两者的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 融合 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种融合型存储器，包括多个存储器单元，其中，所述存储器单元包括：块体衬底；块体衬底上方的源极和漏极以及在源极和漏极区域之间延伸的沟道区；铁电层，位于沟道区之上；栅极，位于铁电层之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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