[发明专利]一种ITO导电膜制作工艺在审
| 申请号： | 201910083927.9 | 申请日： | 2019-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN109811308A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 肖新煌;张磊 | 申请（专利权）人： | 晟光科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;C23C14/02;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 张明利 |
| 地址： | 233000 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种ITO导电膜制作工艺，包括以下制作步骤：步骤一：将基材进行超声波清洁，去除基材表面的氧化层和污渍,步骤二：将基材放入磁控溅射设备的装载室，采用离子轰击透明薄膜基材消除静电，密封后进行抽真空,步骤三：树脂基体加热到95～100℃后运送至溅射室，采用磁控溅射方式进行第一次沉积，得到第一ITO层后，冷却至室温,步骤四：对第一ITO层镀层表面进行抛光,步骤五：沉积第一ITO层的基材再次加热到95～100℃后采用磁控溅射方式进行第二次沉积，得到第二ITO层后，运送至冷却室冷却至室温,步骤六：冷却后的基材放入卸载室，卸片，获得ITO导电膜,步骤七：将ITO导电膜进行退火处理，退火温度90～110℃，退火时间20分钟，获得一种ITO导电膜。 | ||
| 搜索关键词： | 基材 沉积 冷却 退火 磁控溅射 制作工艺 放入 磁控溅射设备 透明薄膜基材 运送 超声波清洁 镀层表面 基材表面 离子轰击 树脂基体 退火处理 再次加热 静电 抛光 污渍 抽真空 溅射室 冷却室 卸载室 氧化层 装载室 去除 卸片 加热 密封 制作 | ||
【主权项】：
1.一种I TO导电膜制作工艺，其特征在于，包括以下制作步骤：步骤一：将基材进行超声波清洁，去除基材表面的氧化层和污渍；步骤二：将基材放入磁控溅射设备的装载室，采用离子轰击透明薄膜基材消除静电，密封后进行抽真空；步骤三：树脂基体加热到95～100℃后运送至溅射室，采用磁控溅射方式进行第一次沉积，得到第一I TO层后，冷却至室温；步骤四：对第一I TO层镀层表面进行抛光；步骤五：将步骤四沉积第一I TO层的基材再次加热到95～100℃后采用磁控溅射方式进行第二次沉积，得到第二ITO层后，运送至冷却室冷却至室温；步骤六：步骤五中冷却后的基材放入卸载室，卸片，获得ITO导电膜；步骤七：将步骤六获得ITO导电膜进行退火处理，退火温度90～110℃，退火时间20分钟，获得一种ITO导电膜。
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