[发明专利]垂直存储器装置及其制造方法

摘要

公开了一种垂直存储器装置及其制造方法。该垂直存储器装置包括位于基底上的栅电极、延伸穿过栅电极的沟道以及延伸穿过栅电极的接触塞。栅电极在基本垂直于基底的上表面的第一方向上堆叠，并且布置为具有阶梯形状，该阶梯形状包括其的在基本平行于上表面的第二方向上的延伸长度从最下面的水平朝向最上面的水平逐渐减小的台阶。在每个栅电极的沿第二方向的端部处的垫具有比所述每个栅电极的其它部分的厚度大的厚度。沟道在第一方向上延伸。接触塞在第一方向上延伸。接触塞接触栅电极之中的第一栅电极的垫以电连接到第一栅电极，并且与栅电极之中的第二栅电极电绝缘。

主权项

1.一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：多个栅电极，位于基底上，所述多个栅电极在基本垂直于基底的上表面的第一方向上堆叠，所述多个栅电极在第二方向上是台阶式的且所述多个栅电极的延伸长度从最下面的水平朝向最上面的水平逐渐减小，第二方向基本平行于基底的上表面，所述多个栅电极在其沿第二方向的端部处包括垫，垫具有比所述多个栅电极中的相应的栅电极的其它部分的厚度大的厚度；沟道，在第一方向上延伸穿过所述多个栅电极；以及接触塞，在第一方向上延伸穿过所述多个栅电极，接触塞接触所述多个栅电极之中的第一栅电极的垫使得垫电连接到接触塞，并且与所述多个栅电极之中的第二栅电极电绝缘。