[发明专利]半导体存储装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201910090397.0 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN110875329B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 大贺淳;原川秀明;永岛贤史;福田夏树 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/27 | 分类号： | H10B41/27;H10B41/42;H10B43/27;H10B43/40;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 万利军;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式涉及半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置包括：第1层叠体，包括第1半导体层、第1存储膜、多个第1布线层、第2半导体层、第2存储膜以及多个第2布线层；接合部件，设置于第1半导体层以及第2半导体层上；第1层，配置在接合部件的上方，覆盖第1半导体层以及第1存储膜；第2层，配置在接合部件的上方，覆盖第2半导体层以及第2存储膜；以及第2层叠体。第2层叠体包括第3半导体层、第3存储膜、多个第3布线层、第4半导体层、第4存储膜以及多个第4布线层。第5半导体层设置于第1层与第2层之间，将第3半导体层与第4半导体层电连接并且电连接于接合部件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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