[发明专利]一种TFT阵列基板及其制备方法在审
申请号: | 201910094353.5 | 申请日: | 2019-01-30 |
公开(公告)号: | CN109817644A | 公开(公告)日: | 2019-05-28 |
发明(设计)人: | 李松杉 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种TFT阵列基板及其制备方法,TFT阵列基板包括显示器件板和设置在显示器件板上的驱动薄膜晶体管;其中,显示器件板包括衬底基板和设置在衬底基板上的缓冲层;驱动薄膜晶体管包括设置在缓冲层上的第一有源岛,缓冲层上与第一有源岛对应的位置处设置有凹槽,第一有源岛的部分位于凹槽中。通过在缓冲层上与驱动薄膜晶体管的第一有源岛对应的位置处设置凹槽,并在缓冲层上形成填充凹槽的非晶硅层,通过非晶硅层结晶形成第一有源岛时,凹槽处的非晶硅接受的能量较低,温度较低,从而在结晶时将会以凹槽处的非晶硅为晶核定向向周围长大结晶,从而使形成的第一有源岛的晶粒均一性较好,大幅度改驱动薄膜晶体管电性的均一性。 | ||
搜索关键词: | 源岛 缓冲层 驱动薄膜晶体管 显示器件 衬底基板 非晶硅层 凹槽处 非晶硅 均一性 位置处 制备 晶粒 结晶形成 电性 填充 | ||
【主权项】:
1.一种TFT阵列基板,其特征在于,包括显示器件板和设置在所述显示器件板上的开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管;所述显示器件板包括衬底基板和设置在所述衬底基板上的缓冲层;所述驱动薄膜晶体管包括第一有源岛和与所述第一有源岛电性连接的第一源漏极,所述第一有源岛设置在所述缓冲层上;其中,所述缓冲层上与所述第一有源岛对应的位置处设置有凹槽,所述第一有源岛的部分位于所述凹槽中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910094353.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:显示面板和显示装置
- 下一篇:阵列基板及其制作方法、显示面板、电子设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的