[发明专利]一种TFT阵列基板及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201910094353.5 申请日: 2019-01-30
公开(公告)号: CN109817644A 公开(公告)日: 2019-05-28
发明(设计)人: 李松杉 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供一种TFT阵列基板及其制备方法,TFT阵列基板包括显示器件板和设置在显示器件板上的驱动薄膜晶体管;其中,显示器件板包括衬底基板和设置在衬底基板上的缓冲层;驱动薄膜晶体管包括设置在缓冲层上的第一有源岛,缓冲层上与第一有源岛对应的位置处设置有凹槽,第一有源岛的部分位于凹槽中。通过在缓冲层上与驱动薄膜晶体管的第一有源岛对应的位置处设置凹槽,并在缓冲层上形成填充凹槽的非晶硅层,通过非晶硅层结晶形成第一有源岛时,凹槽处的非晶硅接受的能量较低,温度较低,从而在结晶时将会以凹槽处的非晶硅为晶核定向向周围长大结晶,从而使形成的第一有源岛的晶粒均一性较好,大幅度改驱动薄膜晶体管电性的均一性。
搜索关键词: 源岛 缓冲层 驱动薄膜晶体管 显示器件 衬底基板 非晶硅层 凹槽处 非晶硅 均一性 位置处 制备 晶粒 结晶形成 电性 填充
【主权项】:
1.一种TFT阵列基板,其特征在于,包括显示器件板和设置在所述显示器件板上的开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管;所述显示器件板包括衬底基板和设置在所述衬底基板上的缓冲层;所述驱动薄膜晶体管包括第一有源岛和与所述第一有源岛电性连接的第一源漏极,所述第一有源岛设置在所述缓冲层上;其中,所述缓冲层上与所述第一有源岛对应的位置处设置有凹槽,所述第一有源岛的部分位于所述凹槽中。
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