[发明专利]Ga2O3系MISFET和Ga2O3系MESFET在审
| 申请号： | 201910099876.9 | 申请日： | 2012-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN110047922A | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木公平;东胁正高 | 申请（专利权）人： | 株式会社田村制作所;国立研究开发法人情报通信研究机构 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/78;H01L29/786;H01L29/812;H01L21/02;H01L21/34;H01L29/04;H01L29/15;H01L29/24;H01L29/36;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 徐谦;刘宁军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种高品质的Ga2O3系MISFET和Ga2O3系MESFET。Ga2O3系MISFET包括：β‑Ga2O3系基板，其以β‑Ga2O3系单晶的(010)面或者从(010)面仅旋转37.5°以下的角度的面为主面，被添加p型掺杂剂并被控制为与所述p型掺杂剂的添加浓度相应的绝缘性；β‑Ga2O3系单晶膜，其作为同质外延膜形成在所述β‑Ga2O3系基板的所述主面上，形成通道层；在所述β‑Ga2O3系单晶膜上形成的源电极和漏电极；以及在所述源电极与所述漏电极之间的所述β‑Ga2O3系单晶膜上介由栅极绝缘膜形成的栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶膜 漏电极 源电极 基板 栅极绝缘膜 同质外延 高品质 绝缘性 膜形成 通道层 栅电极 单晶 | ||
【主权项】：
1.一种Ga2O3系MISFET，包括：β‑Ga2O3系基板，其以β‑Ga2O3系单晶的(010)面或者从(010)面仅旋转37.5°以下的角度的面为主面，被添加p型掺杂剂并被控制为与所述p型掺杂剂的添加浓度相应的绝缘性；β‑Ga2O3系单晶膜，其作为同质外延膜形成在所述β‑Ga2O3系基板的所述主面上，形成通道层；在所述β‑Ga2O3系单晶膜上形成的源电极和漏电极；以及在所述源电极与所述漏电极之间的所述β‑Ga2O3系单晶膜上介由栅极绝缘膜形成的栅电极。
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