[发明专利]一种形成三维存储器的方法及三维存储器在审
| 申请号： | 201910100586.1 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN109817627A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 肖莉红 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种形成三维存储器的方法，包括：提供半导体结构，所述半导体结构具有衬底和位于衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构具有顶部选择栅极；在所述顶部选择栅极中形成波浪形的顶部选择栅极切线，所述顶部选择栅极切线将所述顶部选择栅极分为多个相互绝缘的区域，以及形成穿过所述堆叠结构的沟道孔和波浪形栅线隙，填充所述沟道孔形成垂直沟道结构，以及形成阵列共源极；其中，所述顶部选择栅极切线位于相邻的所述区域的沟道孔之间。 | ||
| 搜索关键词： | 选择栅极 切线 三维存储器 堆叠结构 沟道 半导体结构 波浪形 衬底 垂直沟道结构 共源极 栅线 绝缘 填充 穿过 | ||
【主权项】：
1.一种形成三维存储器的方法，包括：提供半导体结构，所述半导体结构具有衬底和位于衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构具有顶部选择栅极；在所述顶部选择栅极中形成波浪形的顶部选择栅极切线，所述顶部选择栅极切线将所述顶部选择栅极分为多个相互绝缘的区域，以及形成穿过所述堆叠结构的沟道孔和波浪形栅线隙，填充所述沟道孔形成垂直沟道结构，以及形成阵列共源极；其中，所述顶部选择栅极切线位于相邻的所述区域的沟道孔之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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