[发明专利]半导体元件的制造方法有效
| 申请号： | 201910103609.4 | 申请日： | 2019-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN111200026B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 田矢真敏;中野纪夫;熊谷裕弘 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/93 | 分类号： | H01L29/93;H01L29/94;H01L27/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种半导体元件的制造方法，能够抑制成本，防止可变电容元件的电容特性的劣化。一种半导体元件的制造方法，在衬底的表面形成MOS结构的FET和变容二极管，其具备如下工序：第一遮掩工序，其在衬底的表面生成光阻层，所述光阻层的形状覆盖变容二极管区域的阱表面；沟道形成工序，其将极性与在衬底的表面形成的FET区域的阱相同的杂质注入衬底的表面，对FET区域的阱形成沟道区域；栅极形成工序，其分别在FET区域的阱上及变容二极管区域的阱上间隔着绝缘膜形成栅极G；第二遮掩工序，其在衬底的表面生成第二注入阻挡层，该第二注入阻挡层覆盖与第一注入阻挡层相同的区域；以及外延形成工序，其将极性与FET区域的阱相反的杂质注入衬底的表面，对FET区域的阱形成外延区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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