[发明专利]一种高压LED芯片结构制造方法有效
| 申请号： | 201910106878.6 | 申请日： | 2019-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN109817779B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 刘英策;李俊贤;刘兆;魏振东;黄瑄 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李婷婷;王宝筠 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种高压LED芯片结构及其制造方法，所述高压LED芯片结构，包括多个LED芯片颗粒和设置在相邻两个LED芯片颗粒之间的原胞隔离槽，所述原胞隔离槽包括连接原胞隔离槽和非连接区原胞隔离槽，其中，在相邻两个LED芯片颗粒中心连线的方向上，所述非连接区原胞隔离槽的宽度小于所述连接区原胞隔离槽的宽度；所述非连接区原胞隔离槽的侧壁倾斜度大于所述连接区原胞隔离槽的侧壁倾斜度。从而减小了非连接区原胞隔离槽的面积，进而增加了发光区面积，提高了高压LED芯片的光效。由于连接区原胞隔离槽的侧壁偏缓，从而保证了桥接绝缘隔离层和桥接电极的有效覆盖，保证了高压LED芯片结构的产品可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 led 芯片 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高压LED芯片结构，其特征在于，包括：多个LED芯片颗粒；相邻两个LED芯片颗粒之间设置有原胞隔离槽；所述原胞隔离槽包括用于连接相邻两个LED芯片颗粒的连接区原胞隔离槽以及位于所述连接区原胞隔离槽之外的非连接区原胞隔离槽；在相邻两个LED芯片颗粒中心连线的方向上，所述非连接区原胞隔离槽的宽度小于所述连接区原胞隔离槽的宽度；所述非连接区原胞隔离槽的侧壁倾斜度大于所述连接区原胞隔离槽的侧壁倾斜度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门乾照光电股份有限公司，未经厦门乾照光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910106878.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：GaN基板及其制造方法
- 下一篇：一种高压LED芯片结构及其制作方法
