[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201910107770.9 | 申请日： | 2019-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN111524855B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 金吉松 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成待刻蚀材料层、位于待刻蚀材料层上的核心材料层、以及位于核心材料层上的硬掩膜材料层；图形化硬掩膜材料层，形成硬掩膜层；刻蚀相邻硬掩膜层之间的核心材料层，形成多个露出待刻蚀材料层的第一凹槽，剩余核心材料层作为核心层；在第一凹槽以及硬掩膜层的侧壁上形成侧墙层；形成侧墙层后，去除硬掩膜层以及硬掩膜层底部的核心层，形成多个露出待刻蚀材料层的第二凹槽；以侧墙层和剩余核心层为掩膜，去除第一凹槽和第二凹槽底部的待刻蚀材料层，形成目标图形。本发明实施例提高了第一凹槽和第二凹槽的图形精度，形成目标图形后，目标图形的图形精度相应得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
