[发明专利]具有倒角的半导体封装以及相关方法在审
申请号: | 201910108183.1 | 申请日: | 2019-02-03 |
公开(公告)号: | CN110137188A | 公开(公告)日: | 2019-08-16 |
发明(设计)人: | O·L·斯吉特 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 张小稳 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明题为“具有倒角的半导体封装以及相关方法”。本发明提供了图像传感器,所述图像传感器的实施方式可包括具有圆角或倒角边缘的管芯,以及耦接到所述管芯的光学透射盖。所述光学透射盖可包括圆角或倒角边缘,其对应于所述管芯的所述圆角或所述倒角边缘。 | ||
搜索关键词: | 倒角边缘 管芯 圆角 半导体封装 图像传感器 透射 倒角 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器,包括:管芯,所述管芯包括圆角或倒角边缘中的一者;和光学透射盖,所述光学透射盖耦接到所述管芯;其中所述光学透射盖包括对应于所述管芯的圆角或倒角边缘中的一者的圆角或倒角边缘中的一者。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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