[发明专利]一种超薄二硒化钼纳米片的液相合成方法在审
| 申请号： | 201910109497.3 | 申请日： | 2019-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN109626340A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 杨晴;周慧楠 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 230026 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种超薄二硒化钼纳米片的液相合成方法，包括将钼源、硒源和有机胺混合，除杂，得到混合液；将混合液在240～300℃下反应20～60min，得到超薄二硒化钼纳米片；钼源选自钼酸铵、钼酸钠、磷钼酸铵、三氧化钼、乙酰丙酮氧钼和乙酸钼中的一种或多种；硒源选自硒粉、硒甲硫氨酸和二苄基二硒中的一种或多种。本发明通过选择特定种类的前驱源(钼源和硒源)和溶剂有机胺，促进铺展形成大面积且形貌较均匀平整的超薄二硒化钼纳米片；原料为常见原料，条件温和，且方法简单；该方法制备周期短，产率高。纳米片为单层及几层形貌，从光电子能谱图、高角环形暗场像可以看出二硒化钼是1T相与2H相并存，有利于其导电性的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 二硒化钼 纳米片 硒源 钼源 形貌 液相合成 混合液 乙酸 乙酰丙酮氧钼 导电性 光电子能谱 溶剂有机胺 前驱 甲硫氨酸 磷钼酸铵 三氧化钼 制备周期 暗场像 有机胺 钼酸钠 钼酸铵 产率 除杂 单层 高角 硒粉 苄基 铺展 平整 | ||
【主权项】：
1.一种超薄二硒化钼纳米片的液相合成方法，其特征在于，包括如下步骤：将钼源、硒源和有机胺混合，除杂，得到混合液；将所述混合液在240～300℃下反应20～60min，得到超薄二硒化钼纳米片；所述钼源选自钼酸铵、钼酸钠、磷钼酸铵、三氧化钼、乙酰丙酮氧钼和乙酸钼中的一种或多种；所述硒源选自硒粉、硒甲硫氨酸和二苄基二硒中的一种或多种。
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