[发明专利]一种向微型发光二极管阵列涂覆量子点的方法在审

专利信息
申请号: 201910112376.4 申请日: 2019-02-13
公开(公告)号: CN109817792A 公开(公告)日: 2019-05-28
发明(设计)人: 殷录桥;张豆豆;张建华 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 杜阳阳
地址: 200000*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种向微型发光二极管阵列涂覆量子点的方法,所述方法包括:将微型发光二极管阵列刻蚀面划分为三个区域;将三个区域依次作为待涂覆区域;采用光刻胶对待涂覆区域之外的两个区域进行涂覆;采用刻蚀法将待涂覆区域刻蚀成一个凹型区域;确定待涂覆区域上量子点的预设分布;制作与待涂覆区域上量子点的预设分布相匹配的掩膜版,将掩膜版放置在凹型区域内;采用有机溶剂去除待涂覆区域之外的两个区域上的光刻胶;将与待涂覆区域对应的预设颜色量子点通过掩膜版上的镂空位置涂覆在待涂覆区域上;去掉掩膜版。本发明借助掩模版进行量子点的印刷或旋涂,实现量子点的均匀快速涂覆,提高了量子点的涂覆效率和涂覆质量。
搜索关键词: 涂覆区域 量子点 涂覆 掩膜版 微型发光二极管 刻蚀 凹型区域 光刻胶 预设 有机溶剂去除 涂覆效率 预设颜色 镂空位置 掩模版 旋涂 匹配 印刷 制作
【主权项】:
1.一种向微型发光二极管阵列涂覆量子点的方法,其特征在于,所述方法包括:将微型发光二极管阵列刻蚀面划分为三个区域;将所述三个区域依次作为待涂覆区域;采用光刻胶对所述待涂覆区域之外的两个区域进行涂覆;采用刻蚀法将所述待涂覆区域刻蚀成一个凹型区域;确定所述待涂覆区域上量子点的预设分布;制作与所述待涂覆区域上量子点的预设分布相匹配的掩膜版,将所述掩膜版放置在所述凹型区域内;采用有机溶剂去除所述待涂覆区域之外的两个区域上的所述光刻胶;将与所述待涂覆区域对应的预设颜色量子点通过所述掩膜版上的镂空位置涂覆在所述待涂覆区域上;去掉所述掩膜版。
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