[发明专利]沟渠式功率电晶体及其制作方法有效
| 申请号： | 201910114813.6 | 申请日： | 2019-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN111564493B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 李柏贤;叶人豪;邱信谚 | 申请（专利权）人： | 力源半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人： | 张雅军;史瞳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种沟渠式功率电晶体，包含半导体基体。该半导体基体包括至少一主动部，该至少一主动部具有栅极沟渠结构，该栅极沟渠结构具有自顶面向下延伸并界定出栅极沟渠的围壁、由绝缘材料构成并延伸覆盖该围壁表面的第一隔离层、由绝缘材料构成，填置于栅极沟渠并覆盖第一隔离层的隔离单元、位于该栅极沟渠的底部的屏蔽电极，及位于该屏蔽电极上方的栅极电极。利用隔离单元的结构设计，让第四隔离层包覆栅极电极与屏蔽电极邻近的周面，而可让栅极电极与氮化物材料隔离，因此，可避免因栅极电极与氮化物接触或是过于接近产生交互作用而影响元件特性的缺点。此外，本发明还提供制作该沟渠式功率电晶体的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 沟渠 功率 电晶体 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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