[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910114968.X | 申请日： | 2019-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN111129121A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 蔣昕志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 康艳青;姚开丽 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在一些实施例中，本公开涉及一种半导体装置，所述半导体装置包括位于块状氧化物之上的半导体区，所述块状氧化物位于半导体衬底之上。在所述块状氧化物上方有下部源极区，所述下部源极区通过所述半导体区的下部部分而在横向上与下部漏极区间隔开。上部源极区通过半导体区的上部部分而在横向上与上部漏极区间隔开且在垂直方向上与所述下部源极区及所述下部漏极区间隔开。所述上部源极区耦合到所述下部源极区，且所述上部漏极区耦合到所述下部漏极区。耦合到所述半导体衬底且位于栅极氧化物之上的栅极电极位于所述半导体区的所述上部部分上方。所述半导体区的所述下部部分及所述上部部分分别包括第一沟道区及第二沟道区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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