[发明专利]基底清洁方法、基底清洁设备以及制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201910116607.9 | 申请日： | 2019-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN110299282A | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 崔虎燮;金旼亨;刘钒镇;张原赫;方政民;韩奎熙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 尹淑梅;陈晓博 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种清洁基底的方法，一种用于清洁基底的设备以及一种使用该清洁基底的设备制造半导体器件的方法。所述清洁基底的方法可以包括：在湿工艺中对基底进行清洁；将超临界流体提供到基底上以从基底去除湿气；以及在干工艺中对基底进行清洁以从基底去除由超临界流体产生的缺陷颗粒。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 清洁基 半导体器件 超临界流体 去除 湿气 基底清洁设备 基底清洁 缺陷颗粒 设备制造 清洁 制造 | ||
【主权项】：
1.一种清洁基底的方法，所述方法包括：使用湿工艺对基底进行清洁；将超临界流体提供到基底上以从基底去除湿气；以及使用干工艺对基底进行清洁以从基底去除由超临界流体产生的缺陷颗粒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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