[发明专利]改进的离子束蚀刻反应腔及执行蚀刻过程的方法有效
| 申请号： | 201910117604.7 | 申请日： | 2019-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN110544612B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 谢得贤;曾李全 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 龚诗靖 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本申请涉及改进的离子束蚀刻反应腔及执行蚀刻过程的方法。在一些实施例中，本揭露涉及一种离子束蚀刻设备。所述离子束蚀刻设备包含：衬底固持件，其放置于处理反应腔内；及等离子体源，其与所述处理反应腔连通。真空泵借助于入口耦合到所述处理反应腔。一或多个隔板布置于所述衬底固持件与所述处理反应腔的下表面之间。副产物再分配器经配置以将来自蚀刻过程的副产物从所述一或多个隔板的外部移动到所述一或多个隔板正下方。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 离子束 蚀刻 反应 执行 过程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种离子束蚀刻设备，其包括：/n衬底固持件，其放置于处理反应腔内；/n等离子体源，其与所述处理反应腔连通；/n真空泵，其借助于入口耦合到所述处理反应腔；/n一或多个隔板，其布置于所述衬底固持件与所述处理反应腔的下表面之间；及/n副产物再分配器，其经配置以将来自蚀刻过程的副产物从所述一或多个隔板的外部移动到所述一或多个隔板正下方。/n
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