[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910121475.9 | 申请日： | 2019-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN110911471A | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 小野升太郎;菅原秀人;大田浩史;一条尚生;山下浩明 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘英华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置具有：第1电极；第1导电型的第1半导体区域；第2半导体区域，设于第1半导体区域的一部分上。第3半导体区域，设于第1半导体区域的其它的一部分上，在第2方向上和第2半导体区域的至少一部分并列。第4半导体区域，设于第1与第3半导体区域间的至少一部分。第5半导体区域设于第1与第4半导体区域间，其中的第1导电型杂质浓度低于第4半导体区域。第6半导体区域设于第3半导体区域上，其中的第2导电型杂质浓度高于第3半导体区域。第7半导体区域选择性地设于第6半导体区域上。栅极电极，隔着栅极绝缘层与第2、第6及第7半导体区域对置。第2电极，设于第6及第7半导体区域上，与第6及第7半导体区域电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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