[发明专利]非易失性存储器器件及其操作方法在审
| 申请号： | 201910122861.X | 申请日： | 2019-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN110197690A | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 李汉埈;金承范;金哲范;李承宰 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/26;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 存储器器件包括多个字线。一种操作存储器器件的方法包括：通过向第一字线施加具有第一电平的偏移电平的虚拟读取电压，针对被连接到字线当中的第一字线的第一存储器单元执行第一虚拟读取操作；基于执行第一虚拟读取操作的结果，确定第一存储器单元的阈值电压分布的劣化；基于确定阈值电压分布的结果，将虚拟读取电压的偏移电平调整为第二电平；以及通过向字线当中的第二字线施加具有被调整为第二电平的偏移电平的虚拟读取电压，针对被连接到字线当中的第二字线的第二存储器单元执行第二虚拟读取操作。 | ||
| 搜索关键词： | 字线 虚拟 读取操作 读取电压 偏移电平 阈值电压分布 存储器单元 非易失性存储器器件 施加 操作存储器 存储器器件 第二存储器 劣化 | ||
【主权项】：
1.一种操作包括多个字线的存储器器件的方法，所述方法包括：在第一读取操作中，通过向多个字线当中的第一字线施加具有第一电平的偏移电平的虚拟读取电压，对被连接到多个字线当中的第一字线的第一存储器单元执行第一虚拟读取操作；基于第一虚拟读取操作的读取结果，确定被连接到第一字线的第一存储器单元的阈值电压分布的劣化；基于确定第一存储器单元的阈值电压分布的劣化的结果，将虚拟读取电压的偏移电平调整为第二电平；以及在第二读取操作中，通过向多个字线当中的第二字线施加具有被调整为第二电平的偏移电平的虚拟读取电压，对被连接到多个字线当中的第二字线的第二存储器单元执行第二虚拟读取操作。
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