[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910123283.1 | 申请日： | 2019-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN110176925A | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 樫原洋次;武田晃一 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185;G11C16/30 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;郭星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的实施例涉及半导体装置。为了使负电压电平移位器即使在输入信号的高电平的电压值被降低时也稳定地操作，半导体装置中的负电压电平移位器包括第一电平移位器、第二电平移位器和第一中压生成电路。所述第一电平移位器将输入信号的高电平从正的第一电源电压转换为第一中压。所述第二电平移位器将所述第一电平移位器的输出信号的低电平从第三电源电压转换为低于所述第三电源电压的负的第四电源电压。所述第一中压生成电路以使所述第一中压高于所述第一电源电压但低于第二电源电压的方式来生成所述第一中压，并且包括源极跟随器NMOS晶体管和钳位PMOS晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 电源电压 电平移位器 中压 半导体装置 负电压电平 生成电路 高电平 移位器 源极跟随器 输出信号 低电平 转换 钳位 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括负电压电平移位器，其中所述负电压电平移位器包括第一电平移位器，所述第一电平移位器将输入信号的高电平从正的第一电源电压转换为第一中压，所述第一中压高于所述第一电源电压并且低于第二电源电压，其中所述负电压电平移位器还包括：第二电平移位器，所述第二电平移位器将所述第一电平移位器的输出信号的低电平从第三电源电压转换为低于所述第三电源电压的第四电源电压，以及第一中压生成电路，所述第一中压生成电路生成所述第一中压，以及其中所述第一中压生成电路包括：第一NMOS(N沟道金属氧化物半导体)晶体管，被耦合在输出所述第一中压的第一中压节点与被提供有所述第二电源电压的第一电源节点之间，以及第一PMOS(P沟道MOS)晶体管，被耦合至所述第一中压节点以用作用于释放所述第一中压节点的电荷的路径。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社，未经瑞萨电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910123283.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件
- 下一篇：一种或门电路、栅极驱动电路及显示面板
