[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板、电子设备有效

专利信息
申请号: 201910123454.0 申请日: 2019-02-18
公开(公告)号: CN109817645B 公开(公告)日: 2021-03-16
发明(设计)人: 秦斌;彭锦涛;彭宽军;张方振;牛亚男 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77
代理公司: 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 代理人: 王伟锋;刘铁生
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板、电子设备,涉及电子显示设备技术领域,解决了LTPO工艺中多晶硅有源层材料存在漏电流过高,在应用过程中容易发生浮体效应造成电容漏电,进而影响电路补偿电路,最终导致显示面板灰阶不均的问题。本发明的主要技术方案为:一种阵列基板,其包括驱动TFT和开关TFT:其中,驱动TFT包括多晶硅层、顶栅极和底栅极;多晶硅层的两端分别与源极和漏极电连接;顶栅极和底栅极分别设置在多晶硅层的上侧和下侧,用于减小漏极与源极之间的浮体效应。本发明将传统驱动TFT的顶栅结构改为包括顶栅极和底栅极的双栅结构,屏蔽了漏极电场对沟道和源极的影响,减小漏电流,减弱了浮体效应,促使显示面板灰阶均匀性提高。
搜索关键词: 阵列 及其 制作方法 显示 面板 电子设备
【主权项】:
1.一种阵列基板,其包括驱动TFT和开关TFT,其特征在于:所述驱动TFT包括多晶硅层、顶栅极和底栅极;所述多晶硅层的两端分别与源极和漏极电连接;所述顶栅极和所述底栅极分别设置在所述多晶硅层的上侧和下侧,用于减小所述漏极与所述源极之间的浮体效应。
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