[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板、电子设备有效
申请号: | 201910123454.0 | 申请日: | 2019-02-18 |
公开(公告)号: | CN109817645B | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 秦斌;彭锦涛;彭宽军;张方振;牛亚男 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77 |
代理公司: | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 王伟锋;刘铁生 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板、电子设备,涉及电子显示设备技术领域,解决了LTPO工艺中多晶硅有源层材料存在漏电流过高,在应用过程中容易发生浮体效应造成电容漏电,进而影响电路补偿电路,最终导致显示面板灰阶不均的问题。本发明的主要技术方案为:一种阵列基板,其包括驱动TFT和开关TFT:其中,驱动TFT包括多晶硅层、顶栅极和底栅极;多晶硅层的两端分别与源极和漏极电连接;顶栅极和底栅极分别设置在多晶硅层的上侧和下侧,用于减小漏极与源极之间的浮体效应。本发明将传统驱动TFT的顶栅结构改为包括顶栅极和底栅极的双栅结构,屏蔽了漏极电场对沟道和源极的影响,减小漏电流,减弱了浮体效应,促使显示面板灰阶均匀性提高。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示 面板 电子设备 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板,其包括驱动TFT和开关TFT,其特征在于:所述驱动TFT包括多晶硅层、顶栅极和底栅极;所述多晶硅层的两端分别与源极和漏极电连接;所述顶栅极和所述底栅极分别设置在所述多晶硅层的上侧和下侧,用于减小所述漏极与所述源极之间的浮体效应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的