[发明专利]操作电阻存储装置的方法、电阻存储装置和存储系统在审
| 申请号： | 201910125513.8 | 申请日： | 2019-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN110197687A | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 柳惠瑛;柳庚昶;李墉焌 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张泓 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种操作包括存储单元阵列的电阻存储装置的方法。该方法包括：电阻存储装置响应于激活命令和写入命令来执行第一写入操作并且响应于写入激活命令和写入命令来执行第二写入操作。第一写入操作包括用于响应于激活命令锁存从存储单元阵列读取的数据的读取数据评估操作。第二写入操作不包括读取数据评估操作。 | ||
| 搜索关键词： | 存储装置 写入操作 电阻 激活命令 存储单元阵列 评估操作 写入命令 响应 读取 存储系统 锁存 写入 | ||
【主权项】：
1.一种操作包括存储单元阵列的电阻存储装置的方法，所述方法包括：由所述电阻存储装置响应于激活命令和写入命令来执行第一写入操作；以及由所述电阻存储装置响应于写入激活命令和所述写入命令来执行第二写入操作，其中，所述第一写入操作包括用于响应于所述激活命令来锁存从所述存储单元阵列读取的数据的读取数据评估操作，并且其中，所述第二写入操作不包括所述读取数据评估操作。
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