[发明专利]利用RF等离子场对EUV光学器件的主动净化的装置和方法有效
| 申请号： | 201910125932.1 | 申请日： | 2015-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN110058494B | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | A·I·厄肖夫 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张曦 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 净化用于生成极紫外辐射的系统中的光学元件(30)的导电表面的装置和方法，其中导电表面被使用作为用于生成净化该表面的等离子体的电极。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 rf 等离子 euv 光学 器件 主动 净化 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：具有导电表面的极紫外光光学元件，所述导电表面为圆形并且具有中心孔隙；以及邻近于所述导电表面布置并且电耦合到所述导电表面的导电构件，所述导电构件跨越除了所述中心孔隙之外的所述导电表面的直径，所述导电表面和所述导电构件关于彼此被布置以使得等离子体在RF功率被供应至所述导电构件时被产生，所述等离子体能够从所述导电表面的至少一部分去除污染物。
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