[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201910126804.9 | 申请日： | 2019-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN110491879B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 盐田伦也;藤田淳也;伊藤贵之 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式涉及一种半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置包括：衬底；晶体管，具备设置在衬底的表面区域且包含杂质的源极层及漏极层、设置在源极层与所述漏极层之间的衬底上的栅极绝缘膜、设置在栅极绝缘膜上的栅极电极、设置在源极层或所述漏极层上的第1外延层、设置在第1外延层上且包含杂质及碳这两种的第2外延层、及设置在第2外延层上的接触插塞；以及存储单元阵列，设置在晶体管的上方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：/n衬底；/n晶体管，具备设置在所述衬底的表面区域且包含杂质的源极层及漏极层、设置在所述源极层与所述漏极层之间的所述衬底上的栅极绝缘膜、设置在所述栅极绝缘膜上的栅极电极、设置在所述源极层或所述漏极层上的第1外延层、设置在所述第1外延层上且包含所述杂质及碳这两种的第2外延层、及设置在所述第2外延层上的接触插塞；以及/n存储单元阵列，设置在所述晶体管的上方。/n
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