[发明专利]一种钨酸镧（钆）钠晶体的生长方法在审
| 申请号： | 201910129108.3 | 申请日： | 2019-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN110004493A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 陈良;熊巍;袁晖;周尧 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/32 | 分类号： | C30B29/32;C30B11/02 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种钨酸镧（钆）钠晶体的生长方法，所述钨酸镧（钆）钠晶体为钨酸镧钠晶体或钨酸钆钠晶体，所述方法包括：将晶体原料和籽晶装入坩埚并封闭后，升温至1250～1350℃，待晶体原料全部熔化后，开始晶体的生长，其中，坩埚的下降速率0.3～0.8 mm/h，生长界面的温度梯度为40～70℃/cm；生长结束后，自然冷却至室温，得到所述钨酸镧（钆）钠晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 钨酸镧 生长 晶体的 晶体原料 坩埚 熔化 温度梯度 钨酸钆 籽晶 装入 封闭 | ||
【主权项】：
1.一种坩埚下降法生长钨酸镧（钆）钠晶体的方法，其特征在于，所述钨酸镧（钆）钠晶体为钨酸镧钠晶体或钨酸钆钠晶体，所述方法包括：将晶体原料和籽晶装入坩埚并封闭后，升温至1250～1350℃，待晶体原料全部熔化后，开始晶体的生长，其中，坩埚的下降速率0.3～0.8 mm/h，生长界面的温度梯度为40～70℃/cm；生长结束后，自然冷却至室温，得到所述钨酸镧（钆）钠晶体。
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