[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201910130269.4 | 申请日： | 2019-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN110189782A | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 樫原洋次 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/08;G11C16/12 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本申请的各实施例涉及半导体器件。提供了能够稳定地处理具有低压电源的电压电平的信号的半导体器件。半导体器件包括具有根据阈值电压的电平变化存储数据的多个存储晶体管和向存储晶体管的每个栅极提供每个电压的多个存储栅极线的第一存储块和第二存储块。半导体器件还包括：与第一存储块对应地设置的用于驱动多个存储栅极线的第一电压控制线和第二电压控制线以及与第二存储块对应地设置的用于驱动多个存储栅极线的第三电压控制线和第四电压控制线。该半导体器件还包括用于驱动第一电压控制线和第三电压控制线的第一译码器；用于驱动第二电压控制线和第四电压控制线的第二译码器；以及控制要提供给第一译码器和第二译码器的电压的电压控制电路。 | ||
| 搜索关键词： | 电压控制线 半导体器件 译码器 存储栅极 存储 驱动 存储晶体管 电压控制电路 存储数据 低压电源 电平变化 电压电平 阈值电压 申请 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一存储块和第二存储块，每个存储块包括根据阈值电压的电平变化存储数据的多个存储晶体管、以及向所述晶体管的每个栅极提供每个电压的多个存储栅极线；第一电压控制线和第二电压控制线，与所述第一存储块对应地设置，用于驱动所述存储栅极线；第三电压控制线和第四电压控制线，与所述第二存储块对应地设置，用于驱动所述存储栅极线；第一译码器，驱动所述第一电压控制线和所述第三电压控制线；第二译码器，驱动所述第二电压控制线和所述第四电压控制线；以及电压控制电路，控制提供给所述第一译码器和所述第二译码器的电压，其中所述电压控制电路：在写入操作之前，向所述第一译码器提供第一电压和低于所述第一电压的第二电压，并且向所述第二译码器提供在所述第一电压与所述第二电压之间的第三电压和所述第二电压，以及在写入操作模式下，向所述第一译码器提供所述第一电压和所述第三电压，并且向所述第二译码器提供在所述第三电压与所述第二电压之间的第四电压和低于所述第二电压的第五电压。
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