[发明专利]一种铜基自支撑CuO-Cu2O复合阵列钠离子负极材料的制备方法在审
| 申请号： | 201910130572.4 | 申请日： | 2019-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN109888167A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 高林;马腾辉;杨学林 | 申请（专利权）人： | 三峡大学 |
| 主分类号： | H01M4/02 | 分类号： | H01M4/02;H01M4/36;H01M10/054;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人： | 成钢 |
| 地址： | 443002 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种CuO‑Cu2O复合阵列材料的制备方法，属于二次电池材料领域。以泡沫铜作为集流体和铜源，通过水热法对铜表面进行刻蚀之后再对其进行煅烧，进而获得电化学性能优异的CuO‑Cu2O的复合阵列材料。具体是将泡沫铜基底在反应前依次用去离子水、无水乙醇和HCl清洗，去除泡沫铜基底表面油污以及氧化层；将过硫酸铵和氢氧化钠依次溶于去离子水中，放入所述的泡沫铜基底，再转入水热釜中，恒定温度下反应6‑8 h；待反应产物自然冷却后将泡沫铜取出，用去离子水洗涤后放在真空干燥，之后将其在高温下煅烧得到最终产物。通过以上原位制备方法可以获得高面积电容量和高循环稳定性的铜基钠离子电池负极材料。 | ||
| 搜索关键词： | 泡沫铜 复合阵列 负极材料 基底 铜基 煅烧 制备 二次电池材料 去离子水洗涤 恒定 电化学性能 钠离子电池 过硫酸铵 基底表面 氢氧化钠 去离子水 无水乙醇 原位制备 最终产物 电容量 高循环 集流体 钠离子 水热法 水热釜 铜表面 氧化层 自支撑 油污 放入 刻蚀 去除 水中 铜源 离子 清洗 取出 转入 | ||
【主权项】：
1.一种铜基自支撑CuO‑Cu2O复合阵列钠离子负极材料制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）泡沫铜基底在反应前依次用去离子水、无水乙醇和HCl清洗，去除泡沫铜基底表面油污以及氧化层；（2）将过硫酸铵和氢氧化钠依次溶于去离子水中，放入步骤（1）所述的泡沫铜基底，再转入水热釜中，恒定温度下反应6‑8 h；（3）待步骤（2）的反应产物自然冷却后将泡沫铜取出，用去离子水洗涤后放在真空干燥，之后将其在高温下煅烧得到最终产物。
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