[发明专利]包括设有富陷阱区域的衬底的集成电路以及制造工艺在审
| 申请号： | 201910132573.2 | 申请日： | 2019-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN110190064A | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | D·迪塔特 | 申请（专利权）人： | 意法半导体（克洛尔2）公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;董典红 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及包括设有富陷阱区域的衬底的集成电路以及制造工艺。提供一种集成电路，包括衬底，该衬底具有至少一个第一域和与至少一个第一域不同的至少一个第二域。在衬底中仅在至少一个第二域的位置处提供富陷阱区域。至少一个第一域的位置不包括富陷阱区域。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 陷阱区域 第一域 集成电路 制造工艺 第二域 位置处 申请 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，包括衬底，所述衬底包括至少一个第一域和不同于所述至少一个第一域的至少一个第二域，其中所述衬底包含富陷阱区域，所述富陷阱区域存在于所述至少一个第二域的位置中并且不存在于所述至少一个第一域的位置中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
