[发明专利]基于雪崩光电二极管的光检测传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910133658.2 | 申请日： | 2019-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN109742176B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 牛菁;彭锦涛;周婷婷;牛亚男;孙双;张方振 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107;H01L31/0352;H01L31/18;G01J1/42 |
| 代理公司： | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人： | 李弘 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于雪崩光电二极管的光检测传感器及其制备方法，其中所述光检测传感器包括：衬底基板、位于所述衬底基板上的雪崩光电二极管APD；其中，所述雪崩光电二极管包括水平的N+型区、P型区、I型区、P+型区。应用本发明可以减薄光检测传感器的整体厚度，且制造工艺简单，可以避免因叠层工艺引起的高概率产品不良。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 雪崩 光电二极管 检测 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于雪崩光电二极管的光检测传感器，包括：衬底基板、位于所述衬底基板上的雪崩光电二极管APD；其中，所述雪崩光电二极管包括水平的N+型区、P型区、I型区、P+型区。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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