[发明专利]NAND闪存操作技术有效
| 申请号： | 201910136814.0 | 申请日： | 2019-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN111048136B | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 林威良;吕君章;蔡文哲;吴冠纬;张耀文 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/24;G11C16/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种高密度存储器，例如立体NAND闪存，的写入方法，修改在写入操作期间所施加的波形，以减轻在操作期间对于未被选取用来进行写入的存储单元的无预期干扰。此方法通常在写入序列中的写入验证通过电压和写入通过电压之间的时间间隔内施加偏压安排。此偏压安排包括软压降和预启动，用以减小写入操作期间位于未被选取的NAND存储单元串行的浮置通道上的电压分布变异程度。 | ||
| 搜索关键词： | nand 闪存 操作 技术 | ||
【主权项】：
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