[发明专利]半导体晶片及半导体装置有效
| 申请号： | 201910137356.2 | 申请日： | 2019-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN110838515B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 大野天颂;堂前佑辅 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/78;H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式提供一种能够提升从改性部分扩展的劈开的直进性的半导体晶片及半导体装置。实施方式的半导体晶片具备多个半导体芯片区域及分割区域。多个半导体芯片区域具有半导体元件。分割区域设置在相邻的半导体芯片区域间。第1层叠体设置在分割区域上，包含交替层叠的多个第1材料膜及多个第2材料膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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